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BW-4022C半導體綜合測試系統

數量(臺) 價格
10 200010.00元/臺
  • 最小起訂: 1臺
  • 發貨地址: 陜西 西安市
  • 發布日期:2025-11-18
  • 訪問量:352
咨詢電話:153-5378-6259
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陜西博微電通科技有限責任公司

實名認證 企業認證
  • 企業地址:陜西省西咸新區灃東新城鑫森源產業園
  • 營業執照:已審核營業執照
  • 經營模式: 生產加工-私營有限責任公司
  • 所在地區:陜西 西安市
  • 家家通積分:1290分
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詳細參數
品牌其他型號BW-4022C
類型綜合參數測試儀測量范圍2000V/200A
精確度分辨率0.1%16ADC電源電壓AC220V
用途半導體分立器件綜合測試(光耦,鋰電池,壓敏等)加工定制
外形尺寸390mm*310mm*170mm 800mm*850mm*900mm 其他重量25公斤
產地西安

產品詳情

BW-4022C


半導體光耦/晶振/壓敏綜合測試系統


BW-4022C半導體綜合測試系統是針對于半導體器件開發專用測試的系統,經我公司產品升級與開發,目前亦可以對二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種器件進行參數測試,性能、精度、測試范圍均滿足客戶測試需求,可用于客戶端來料檢驗、研發分析、 產品選型等重要檢測設備之一。

BW-4022C 半導體綜合測試系統采用大規模 32 位 ARM&MCU 設計, PC 中文操作界面,程控軟件基于 Lab VIEW 平臺, 填充調用式菜單操作界面,測試界面簡潔 靈活、人機界面友好。配合開爾文綜合集成測試插座,根據不同器件更換測試座配合,系統可適配設置完成對二極管、光電耦合器、壓敏電阻、鋰亞電池、晶振5種元件的靜態參數測試。

該測試系統主要由測試主機和程控電腦及外部測試夾具三部分組成,并接受客戶端MES系統進行測試指令:方案選取/開始/暫停/停止/數據上傳等操作執行,并可將測試數據上傳至MES系統由客戶端處理。

BW-4022C半導體綜合測試系統可同時針對:

【光耦】

適用于〖三極管管型光耦/可控硅光耦/繼電器光耦〗進行測試。

【二極管】

〖Diode /穩壓Diode/ZD/SBC/TVS/整流橋堆〗進行測試。

【壓敏電阻】

〖Kelvin /Vrrm /Vdrm /Irrm /Idrm /△Vr〗進行測試。

【鋰亞電池】

〖Kelvin/電池空載電壓(Vbt)/負載電壓(Vbt_load )  /測試電流(0-10A 恒流 )/負載電壓變化值(▲Vbt_load)/電池內阻(Vbt Res)  等進行測試。

【晶振】

〖震蕩頻率(Freq_osc )/諧振電阻(Ri)/頻率精度(Freq_ppm)/測試頻率范圍(10kHz~10MHz)等測試。

【其他測試功能可定制拓展】

一、 設備規格與環境要求

物理規格

主機尺寸:深 660*寬 430*高 210(mm) 臺式

主機重量:<25kg

產品色系:白色系

工況環境

主機功耗:<300W

海拔高度:海拔不超過 1500m;

環境要求:-20℃~60℃(儲存)、5℃~50℃(工作);

相對濕度: 20%RH~75%RH (無凝露,濕球溫度計溫度 45℃以下);

大氣壓力:86Kpa~106Kpa;

防護條件:無較大灰塵,腐蝕或性氣體,導電粉塵等;

供電要求

電源配置:AC220V±10%、50Hz±1Hz;

工作時間:連續;

二、測試種類與技術指標

1、光耦測試:

輸入(Input)相關參數

· 正向電壓

· 符號:Vf

· 最小值:無

· 典型值:1.2 V

· MAX值:1.4 V

· 單位:V

· 測試條件:If=20mA

· 反向電流

· 符號:Ir

· 最小值:無

· 典型值:無

· MAX值:10 μA

· 單位:μA

· 測試條件:Vr=4V

輸出(Output)相關參數

· 集電極暗電流

· 符號:Iceo

· 最小值:無

· 典型值:無

· MAX值:100 nA

· 單位:nA

· 測試條件:Vce-20V,If=0

· 集電極 - 發射極擊穿電壓

· 符號:BVceo

· 最小值:80 V

· 典型值:無

· MAX值:無

· 單位:V

· 測試條件:Ic-0.1mA,If=0

· 發射極 - 集電極擊穿電壓

· 符號:BVeco

· 最小值:6 V

· 典型值:無

· MAX值:無

· 單位:V

· 測試條件:Ie-10μA,,If=0

· 集電極電流

· 符號:Ic

· 最小值:2.5 mA

· 典型值:無

· MAX值:30 mA

· 單位:mA

· 測試條件:If=5mA,Vce-5V

· 電流傳輸比

· 符號:CTR

· 最小值:50 %

· 典型值:無

· MAX值:600 %

· 單位:%

· 測試條件:If=5mA,Vce-5V

傳輸特性)相關參數

· 集電極 - 發射極飽和電壓

· 符號:Vce

· 最小值:無

· 典型值:0.1 V

· MAX值:0.2 V

· 單位:V

· 測試條件:If=20mA,Ic-1mA

· 隔離電阻

· 符號:Riso

· 最小值: Ω

· 典型值: Ω

· MAX值:無

· 單位:Ω

· 測試條件:DC500V, 40 - 60% R.H.

(以上參數基于晶體管LTV-816-Cu series特性參數)

· 三極管管型光耦

可控硅光耦

繼電器光耦

2、二極管類測試

· 二極管類:二極管

二極管類:穩壓二極管

二極管類:穩壓二極管

二極管類:三端肖特基二極管 SBD(SchottkyBarrierDiode)

二極管類: 瞬態二極

二極管類:整流橋堆

二極管類:三相整流橋堆

3、壓敏電阻測試

· Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm  、 △Vr ;(參數配置精度與二極管一致)

4、鋰亞電池測試

· Kelvin(0~150mV)

· 電池空載電壓(Vbt)  0-100V  +-0.2%

· 負載電壓(Vbt_load )   0-100V  +-0.5%  測試電流(0-10A 恒流 )

· 負載電壓變化值(Vbt_load)0-10v +-5% 測試電流(0-10A 恒流 )

· 電池內阻(Vbt Res)  0-10v +-5%  測試電流(0-10A 脈沖 )

5、晶振測試

· 震蕩頻率(Freq_osc )

· 諧振電阻(Ri)

· 頻率精度(Freq_ppm)

· 測試頻率范圍(10kHz~10MHz)

測試參數

符號

量程

測試范圍

測試條件

測量精度

震蕩頻率

Fosc

10kHz~100kHz

100kHz~1MHz

1MHz~5MHz

5MHz~10MHz

10kHz~10MHz


0.1Hz

諧振電阻

Rz

0~100K



±10%

頻率精度

ppm


0-1000


0.01%





三、參數配置與性能指標

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