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爐內氣氛對硅碳棒的影響：干燥空氣的影響：硅碳棒能在高溫（1600℃）、干燥的空氣中長期使用，電阻緩慢增加。氧氣（O2）與SiC在高溫時發生反應，生成二氧化硅（SiO2）。由于硅碳棒表面形成了一層SiO2保護膜，因此硅碳棒具有很強的抗氧化性。
（2）水蒸氣的影響：水蒸氣（H2O）在1100℃時與SiC發生強烈化學反應，生成Si、SiO2和C。硅碳棒表面出現裂紋，電阻增長速度很快。
（3）氮氣（N2）的影響：當硅碳棒表面溫度達到1400℃時，N2就與SiC發生反應，生成氮化硅，使硅碳棒的電阻值顯著增長。
（4）氫氣（H2）的影響：在1250℃時，H2與SiC發生反應，生成甲烷（CH4）,破壞SiC發熱體。
（5）氨氣（NH3）的影響：NH3在高溫時可分解成成N2和H2。故使用溫度應控制在1250℃以下。
（6）二氧化硫（SO2）的影響：SO2在1300℃與SiC反應，故使用溫度應控制在1300℃以下。
（7）氯氣（Cl2）的影響：Cl2在600℃時就會與SiC發生反應，在1200℃時，Cl2會把硅碳棒完全分解。
（2）水蒸氣的影響：水蒸氣（H2O）在1100℃時與SiC發生強烈化學反應，生成Si、SiO2和C。硅碳棒表面出現裂紋，電阻增長速度很快。
（3）氮氣（N2）的影響：當硅碳棒表面溫度達到1400℃時，N2就與SiC發生反應，生成氮化硅，使硅碳棒的電阻值顯著增長。
（4）氫氣（H2）的影響：在1250℃時，H2與SiC發生反應，生成甲烷（CH4）,破壞SiC發熱體。
（5）氨氣（NH3）的影響：NH3在高溫時可分解成成N2和H2。故使用溫度應控制在1250℃以下。
（6）二氧化硫（SO2）的影響：SO2在1300℃與SiC反應，故使用溫度應控制在1300℃以下。
（7）氯氣（Cl2）的影響：Cl2在600℃時就會與SiC發生反應，在1200℃時，Cl2會把硅碳棒完全分解。
