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1206貼片電容

數量(個) 價格
1 0.03元/個
  • 供貨總量: 電議
  • 最小起訂: 1個
  • 發貨地址: 東莞
  • 付款方式: 面議
  • 發布日期:2019-09-22
  • 訪問量:174
咨詢電話:138-2928-1815
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東莞市偉圣電子有限公司

實名認證 企業認證
  • 企業地址:東莞市長安鎮上沙工業區
  • 營業執照:已審核營業執照
  • 經營模式: 其他-私營有限責任公司
  • 所在地區:廣東 東莞市
  • 家家通積分:265分
詳細參數
品牌 WS 規格型號 1206
編號 0.1uf 計量單位 1個
付款方式 面議 參考價格 0.03
價格單位 人民幣 供貨量 不限
說明書,報價手冊及驅動 暫無相關下載 其他資料下載 暫無相關下載
產地 東莞 發貨地 東莞

產品詳情

東莞專業的貼片電容生產廠家,東莞市偉圣電子有限公司,我公司生產各種優質的貼片電容規格型號,

具體分類如下:類型封裝形式耐壓

A 3216 10V

B 3528 16V

C 6032 25V

D 7343 35V

貼片電容的分類

NPO電容器

X7R電容器

Z5U電容器

Y5V電容器

區別:NPO、X7R、Z5UY5V的主要區別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由于填充介質不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。

NPO電容器

NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

NPO電容器是電容量和介質損耗最穩定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。

DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。

X7R電容器

X7R電容器被稱為溫度穩定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到 125℃時其容量變化為15%,需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。

X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時間的變化而變化,大約每10年變化1%ΔC,表現為10年變化了約5%。

X7R電容器主要應用于要求不高的工業應用,而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。

DC=50V DC=100V

0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF

1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF

1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF

2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

Z5U電容器

Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍,對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環境和工作條件影響較大,它的老化率最大可達每10年下降5%。

盡管它的容量不穩定,由于它具有小體積、等效串聯電感(ESL)和等效串聯電阻(ESR)低、良好的頻率響應,使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。

DC=25V DC=50V

0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF

1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF

1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF

2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

Z5U電容器的其他技術指標如下:

工作溫度范圍10--- 85

溫度特性 22% ---- -56%

介質損耗 最大 4%

Y5V電容器

Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-30℃到85℃范圍內其容量變化可達 22%-82%

Y5V的高介電常數允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7μF電容器。

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