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2：大；率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。4、 觸發電壓VGT 在規定的溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的小控制極電流和電壓。綜上所述，小結如下:ST公司所有產品型號的后綴字母(型號后一個字母)帶“W”的，均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型號如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW等。
于真空閘流管，所以上通稱為硅晶體閘流管，簡稱可控硅T。又由于可控硅初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。C、從導通到關斷1、陽極電位低于陰極電位，2、陽極電流小于維持電流，任一條件即可。
Rthjc--結殼熱阻可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。
VTM--通態峰值電壓（一）按關斷、導通及控制分類：可控硅按其關斷、導通及控制可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。DIP4管腳型ZC三端雙向可控硅光電耦合器作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發脈沖或負向觸發脈沖均可使控制極導通，四種條件下雙向可控硅均可被觸發導通，但是觸發靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導通狀態的小門極電流IGT是有區別的，其中(a)觸發靈敏度高，(b)觸發靈敏度低，為了保證觸發同時又要盡量門極電流，應選擇(c)或(d)的觸發。
2. 過電壓保護
至于型號后綴字母的觸發電流，各個廠家的代表含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅當負載電流增大，電源的或電源為非正弦波時，會使轉換電流變化率變高，這種情況易在感性負載的情況下發生，很容易器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯一只幾毫亨的空氣電感。
(5)應在額定參數范圍內使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致:
觸發導通控 制：Controlled(取個字母)
VDRM--斷態重復峰值電壓按一機部IBI144一75的規定，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號采用如下格式標注:
