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innodisk內存條 DDR3 4G M3S0-4GSJDCPC

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  • 發貨地址: 本地至全國
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  • 發布日期:2023-01-30
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北京齊昂電子科技有限公司

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  • 企業地址:北京昌平區西三旗建材城東路新龍大廈B座1022室
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詳細參數
品牌 Innodisk 規格型號 M3S0-4GSJDCPC
編號 齊全 計量單位 1片
付款方式 面議 參考價格
價格單位 人民幣 供貨量 不限
說明書,報價手冊及驅動 暫無相關下載 其他資料下載 暫無相關下載
產地 本地 發貨地 本地至全國

產品詳情

嵌入式系統系列

我們的嵌入式系統符合JEDEC內存標準,并提供各種不同外觀尺寸、容量、速度,以優化嵌入式系統的表現。
產品特色
  • Small Outline Dual In-line Memory Module
  • Fully Tested and Optimized for Stability and Perbance
  • Uses Original IC to Meet Strict Industrial Standards
  • JEDEC Standard 1.5V (1.425V~1.575V) & 1.35V (1.28V~1.45V)
  • Operating Environment : 0°C ~ 85°C
  • RoHS Compliance
  • CE/FCC Certification

Overview:


DDR3 SODIMM memory (small outline) is a compact industrial standards memory module that fits neatly into any bded, surveillance and automation setup. DDR3 SODIMM memory comply with all relevant JEDEC standards and are available in 1GB, 2GB, 4GB, and 8GB capacities and with data transfer rates of 1066MT/s, 1333MT/s, 1600MT/s, and 1866MT/s.



DDR3 SODIMM內存(小外框)是一種緊湊的工業標準內存模塊,可巧妙地安裝在任何嵌入式、監控和自動化設置中。DDR3 SODIMM內存符合所有相關JEDEC標準,具有1GB、2GB、4GB和8GB容量,數據傳輸速率分別為1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s和1866MT/s。



規格:

Interface DDR3
Form Factor SODIMM
Data Rate 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
Capacity 1GB, 2GB, 4GB, 8GB
Function Non-ECC Unbuffered Memory
Pin Number 204pin
Width 64Bits
Voltage 1.5V, 1.35V
PCB Height 1.18 Inches
Operating Temperature 0°C to 85°C

產品料號:


Density Component
Comb
Part Number Rank Voltage Debion
1GB 128Mx16 M3S0-1GSWFLQE 1Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
2GB 256Mx16 M3S0-2GSVFLQE 1Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
2GB 256Mx8 M3S0-2GSJCLQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
4GB 256Mx8 M3S0-4GSJDLQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
4GB 256Mx16 M3S0-4GSV0LQE 2Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
4GB 512Mx8 M3S0-4GSSCLQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
8GB 512Mx8 M3S0-8GSSDLQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
4GB 1866MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0CQE
4GB 1600MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0CPC
4GB 1333MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0CN9
4GB 1866MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0CQE
4GB 1600MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0CPC
4GB 1333MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0CN9
4GB 1866MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDCQE
4GB 1600MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDCPC
4GB 1333MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDCN9
4GB 1066MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDCM7
4GB 800MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDCL6
4GB 1866MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDCQE
4GB 1600MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDCPC
4GB 1333MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDCN9
4GB 1866MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCCQE
4GB 1600MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCCPC
4GB 1333MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCCN9
4GB 1866MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCCQE
4GB 1600MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCCPC
4GB 1333MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCCN9
4GB 1866MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDLQE
4GB 1600MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDLPC
4GB 1333MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDLN9
4GB 1066MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDLM7
4GB 800MT/s 256Mx8 Samsung 2 2 M3S0-4GSJDLL6
4GB 1866MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDLQE
4GB 1600MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDLPC
4GB 1333MT/s 256Mx8 Micron 2 2 M3S0-4GMJDLN9
4GB 1866MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0LQE
4GB 1600MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0LPC
4GB 1333MT/s 256Mx16 Samsung 2 2 M3S0-4GSV0LN9
4GB 1866MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0LQE
4GB 1600MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0LPC
4GB 1333MT/s 256Mx16 Micron 2 2 M3S0-4GMV0LN9
4GB 1866MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCLQE
4GB 1600MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCLPC
4GB 1333MT/s 512Mx8 Samsung 1 2 M3S0-4GSSCLN9
4GB 1866MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCLQE
4GB 1600MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCLPC
4GB 1333MT/s 512Mx8 Micron 1 2 M3S0-4GMSCLN9



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