產(chǎn)品詳情
Asymmetric Gate turn-off?Thyristor
5SGA 06D4502
PRELIMINARY
VDRM?=?4500 V
ITGQM?=?600 A
ITSM?=?3×103?A
VT0?=?1.9 V
rT?=?3.5 mW
VDcb?=?2800 V
·專自由浮動硅技術
?·低導通狀態(tài)和開關損耗
?·中心柵電極
?·行業(yè)標準外殼
·抗宇宙輻射等級
門極可關斷晶閘管（GTO）的生產(chǎn)始于19世紀80年代中期。GTO是晶閘管的其中一種，可以通過門極施加反向電流使其關斷。GTO?的生產(chǎn)始于?20?世紀?80?年代中期。GTO?是一種晶閘管，向門級反向施加電流便可關斷，反之則導通。
GTO?經(jīng)過優(yōu)化，傳導損耗很低。對于大多數(shù)應用，典型的開關頻率在?200?-?500?赫茲范圍內(nèi)。GTO?本質(zhì)上是相對較慢的開關。從開到關的典型轉(zhuǎn)換時間在?10?-?30?微秒范圍內(nèi)，反之亦然。GTO?的導通和關斷都需要稱為“緩沖器”的保護網(wǎng)絡。導通緩沖器電路本質(zhì)上是電感器，可以限制電流上升的速率。至于關斷，GTO?需要一個限制電壓上升速率的器件，從本質(zhì)上來說就是電容器。日立能源所有的?GTO?都是壓接封裝器件。以大力將?GTO?壓接到散熱器上，而散熱器也當作電源端子的電觸點。
5SGA 06D4502
PRELIMINARY
VDRM?=?4500 V
ITGQM?=?600 A
ITSM?=?3×103?A
VT0?=?1.9 V
rT?=?3.5 mW
VDcb?=?2800 V
·專自由浮動硅技術
?·低導通狀態(tài)和開關損耗
?·中心柵電極
?·行業(yè)標準外殼
·抗宇宙輻射等級
門極可關斷晶閘管（GTO）的生產(chǎn)始于19世紀80年代中期。GTO是晶閘管的其中一種，可以通過門極施加反向電流使其關斷。GTO?的生產(chǎn)始于?20?世紀?80?年代中期。GTO?是一種晶閘管，向門級反向施加電流便可關斷，反之則導通。
GTO?經(jīng)過優(yōu)化，傳導損耗很低。對于大多數(shù)應用，典型的開關頻率在?200?-?500?赫茲范圍內(nèi)。GTO?本質(zhì)上是相對較慢的開關。從開到關的典型轉(zhuǎn)換時間在?10?-?30?微秒范圍內(nèi)，反之亦然。GTO?的導通和關斷都需要稱為“緩沖器”的保護網(wǎng)絡。導通緩沖器電路本質(zhì)上是電感器，可以限制電流上升的速率。至于關斷，GTO?需要一個限制電壓上升速率的器件，從本質(zhì)上來說就是電容器。日立能源所有的?GTO?都是壓接封裝器件。以大力將?GTO?壓接到散熱器上，而散熱器也當作電源端子的電觸點。
