產(chǎn)品詳情
5SNG 0900R120501 是一款高性能的 IGBT模塊，專為高需求工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)，能夠提供強(qiáng)大的功率控制和可靠性。該模塊采用了超低損耗的 Trench IGBT技術(shù)，確保了優(yōu)異的效率，非常適合在各種操作條件下要求高性能的應(yīng)用場景。
主要特點(diǎn)：
高電壓和電流等級(jí)：該模塊具有 1200 V 的集電極-發(fā)射極電壓和 2x 900 A 的直流集電極電流額定值，適用于高功率應(yīng)用。
低損耗IGBT技術(shù)：采用堅(jiān)固的 Trench IGBT芯片組，減少能量損失，提高效率。
卓越的熱管理：模塊配備 銅基板，有效管理熱量，降低熱阻，確保在高功率工作環(huán)境下的穩(wěn)定性能。
溫度監(jiān)測(cè)：集成 NTC熱敏電阻，可進(jìn)行實(shí)時(shí)溫度監(jiān)控，防止過熱損壞。
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝：采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，便于與各種系統(tǒng)的集成。
電氣規(guī)格：
集電極-發(fā)射極電壓 (VCE)：1200 V
集電極電流 (IC)：900 A（每個(gè)開關(guān)）
浪涌電流 (IFSM)：3000 A（10 ms）
柵極-發(fā)射極電壓 (VGES)：±20 V
最大結(jié)溫 (TVJ)：175°C
熱和機(jī)械特性：
熱阻：0.043 K/W（IGBT結(jié)到外殼）
尺寸：152 x 62 x 17 mm
重量：350 g
性價(jià)比優(yōu)勢(shì)： 此款模塊采用國內(nèi)封裝方案，在不犧牲性能的情況下提供更具競爭力的價(jià)格，適合注重成本效益和可靠性的工業(yè)應(yīng)用。
這款模塊為工業(yè)功率控制提供了一個(gè)具有成本效益的可靠解決方案，在苛刻的環(huán)境下仍能提供出色的性能。
主要特點(diǎn)：
高電壓和電流等級(jí)：該模塊具有 1200 V 的集電極-發(fā)射極電壓和 2x 900 A 的直流集電極電流額定值，適用于高功率應(yīng)用。
低損耗IGBT技術(shù)：采用堅(jiān)固的 Trench IGBT芯片組，減少能量損失，提高效率。
卓越的熱管理：模塊配備 銅基板，有效管理熱量，降低熱阻，確保在高功率工作環(huán)境下的穩(wěn)定性能。
溫度監(jiān)測(cè)：集成 NTC熱敏電阻，可進(jìn)行實(shí)時(shí)溫度監(jiān)控，防止過熱損壞。
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝：采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，便于與各種系統(tǒng)的集成。
電氣規(guī)格：
集電極-發(fā)射極電壓 (VCE)：1200 V
集電極電流 (IC)：900 A（每個(gè)開關(guān)）
浪涌電流 (IFSM)：3000 A（10 ms）
柵極-發(fā)射極電壓 (VGES)：±20 V
最大結(jié)溫 (TVJ)：175°C
熱和機(jī)械特性：
熱阻：0.043 K/W（IGBT結(jié)到外殼）
尺寸：152 x 62 x 17 mm
重量：350 g
性價(jià)比優(yōu)勢(shì)： 此款模塊采用國內(nèi)封裝方案，在不犧牲性能的情況下提供更具競爭力的價(jià)格，適合注重成本效益和可靠性的工業(yè)應(yīng)用。
這款模塊為工業(yè)功率控制提供了一個(gè)具有成本效益的可靠解決方案，在苛刻的環(huán)境下仍能提供出色的性能。
