這兩年間，美國不斷增加的“實體清單”名單，和愈發過火的半導體禁令，讓中國深刻地體會到了“中國芯”領域的巨大缺口。
現在，以華為為首的中國科技企業，面臨著芯片斷供的危機。唯一的自救之法就只剩下自主制造芯片。
客觀來說，中國在芯片設計領域做得很不錯。比如華為麒麟芯片，就和高通驍龍一起，居于智能手機芯片市場的第一梯隊。紫光展銳更是在今年克服了技術難題，研發出了全球首款6nm EUV工藝芯片——虎賁T7250。
然而，就算中國擁有前沿芯片設計技術，也突破了制程工藝瓶頸，中國也很難制造生產芯片。原因就在于核心設備光刻機上。
光刻機是芯片制造環節中最關鍵、最核心、技術含量最高的設備。全球范圍內，目前只有ASML（荷蘭阿斯麥公司）能夠生產高端的EUV光刻機。
雖說ASML不是美國企業，不受實體清單的限制。但中芯國際于2018年初，斥資1.2億美元向ASML訂購的光刻機，至今仍未到貨。無論背后原因如何，從這一點就能看出，要想實現技術突破，只能夠依靠自己。
而就在最近，中國在光刻機領域真的邁出了相當成功的一步。我國一家名為華卓精科的企業，近日宣布成功突破了雙工件臺納米級限制，成為了全世界第二家可以獨立生產制作雙工件臺的企業。
據了解，一臺光刻機的重量高達180噸，其內部有10萬多個零部件、3000多條線路，技術難度非常高，內部結構極其復雜龐大。ASML平均每年僅能制造出20臺EUV光刻機，而其中90%的關鍵設備和零部件都要依靠進口。所以，在光刻機領域內，能掌握一個關鍵技術，就具有相當的意義。
在光刻機所需的10萬+零部件中，最重要的三個分別是：極紫外光源、光學鏡頭和雙工件臺。雙工件臺直接決定著光刻硅片的質量。
普通的單工件臺，每小時的產能僅80片左右，而雙工件臺的生產速度提升到了每小時270-300片。不僅如此，雙工件臺在高速運作的同時，還能保證精細至2nm的精準度。要知道一根頭發的直徑都有40-50微米，相當于40000-50000nm。所以，雙工件臺的技術難度是相當大的。
華卓精科研發的雙工件臺，對我國光刻機行業，乃至于整個芯片行業都是非常有意義的。大家應該對“中國芯”充滿信心。
現在，以華為為首的中國科技企業，面臨著芯片斷供的危機。唯一的自救之法就只剩下自主制造芯片。
客觀來說，中國在芯片設計領域做得很不錯。比如華為麒麟芯片，就和高通驍龍一起，居于智能手機芯片市場的第一梯隊。紫光展銳更是在今年克服了技術難題，研發出了全球首款6nm EUV工藝芯片——虎賁T7250。
然而，就算中國擁有前沿芯片設計技術，也突破了制程工藝瓶頸，中國也很難制造生產芯片。原因就在于核心設備光刻機上。
光刻機是芯片制造環節中最關鍵、最核心、技術含量最高的設備。全球范圍內，目前只有ASML（荷蘭阿斯麥公司）能夠生產高端的EUV光刻機。
雖說ASML不是美國企業，不受實體清單的限制。但中芯國際于2018年初，斥資1.2億美元向ASML訂購的光刻機，至今仍未到貨。無論背后原因如何，從這一點就能看出，要想實現技術突破，只能夠依靠自己。
而就在最近，中國在光刻機領域真的邁出了相當成功的一步。我國一家名為華卓精科的企業，近日宣布成功突破了雙工件臺納米級限制，成為了全世界第二家可以獨立生產制作雙工件臺的企業。
據了解，一臺光刻機的重量高達180噸，其內部有10萬多個零部件、3000多條線路，技術難度非常高，內部結構極其復雜龐大。ASML平均每年僅能制造出20臺EUV光刻機，而其中90%的關鍵設備和零部件都要依靠進口。所以，在光刻機領域內，能掌握一個關鍵技術，就具有相當的意義。
在光刻機所需的10萬+零部件中，最重要的三個分別是：極紫外光源、光學鏡頭和雙工件臺。雙工件臺直接決定著光刻硅片的質量。
普通的單工件臺，每小時的產能僅80片左右，而雙工件臺的生產速度提升到了每小時270-300片。不僅如此，雙工件臺在高速運作的同時，還能保證精細至2nm的精準度。要知道一根頭發的直徑都有40-50微米，相當于40000-50000nm。所以，雙工件臺的技術難度是相當大的。
華卓精科研發的雙工件臺，對我國光刻機行業，乃至于整個芯片行業都是非常有意義的。大家應該對“中國芯”充滿信心。
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