報(bào)告摘要

缺陷，特別是點(diǎn)缺陷，對(duì)半導(dǎo)體的物理特性有著至關(guān)重要的影響，決定其電、光學(xué)行為，并決定器件的性能優(yōu)劣。目前，以硅材料為代表的半導(dǎo)體工藝精度已進(jìn)入2~3nm階段，人類制造技術(shù)的精度正從納米尺度向原子精度推進(jìn)，以原子和分子為單元構(gòu)建器件的未來(lái)制造技術(shù)正走向現(xiàn)實(shí)。對(duì)于超高精度半導(dǎo)體器件制造科技發(fā)展，材料內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)（特別是缺陷與摻雜）的準(zhǔn)確表征與有效控制一直具有重要意義。隨著半導(dǎo)體器件向尺寸更微小、結(jié)構(gòu)更復(fù)雜、功能更強(qiáng)大的不斷發(fā)展，點(diǎn)缺陷對(duì)半導(dǎo)體器件性能的影響更加放大，對(duì)點(diǎn)缺陷調(diào)控提出了更精準(zhǔn)的需求。報(bào)告將討論開(kāi)展半導(dǎo)體點(diǎn)缺陷的單體表征與控制研究相關(guān)的科學(xué)難題及實(shí)驗(yàn)技術(shù)。

報(bào)告人簡(jiǎn)介

劉雷，國(guó)家杰出青年科學(xué)基金獲得者（2015）。中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研究員，發(fā)光學(xué)及應(yīng)用國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任；中國(guó)物理學(xué)會(huì)發(fā)光分會(huì)副主任，中國(guó)物理學(xué)會(huì)半導(dǎo)體物理專業(yè)委員會(huì)委員，吉林省物理學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)。2010年，入選中國(guó)科學(xué)院高層次海外人才計(jì)劃，并于2016年終期評(píng)估獲優(yōu)秀；2011年，被評(píng)為2011年吉林省百名高層次創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)引進(jìn)人才；2015年，獲得國(guó)家杰出青年基金資助；2015年，入選吉林省第五批拔尖創(chuàng)新人才第一層次；2016年，獲聘中國(guó)科學(xué)院特聘研究員。

主要從事單原子尺度精準(zhǔn)的半導(dǎo)體光電材料表征與器件制造研究；發(fā)表《science》、《chemical reviews》、《physical review letters》等高水準(zhǔn)學(xué)術(shù)論文100余篇，共被sci他引13000余次。