國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”11月29日通過驗收。該光刻機由中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所研制,光刻分辨力達到22納米,結(jié)合雙重曝光技術(shù)后,未來還可用于制造更高級別的芯片。
光刻機是制造芯片的核心裝備,我國在這一領(lǐng)域長期落后。它采用類似照片沖印的技術(shù),把母版上的精細圖形通過曝光轉(zhuǎn)移至硅片上,一般來說,光刻分辨力越高,加工的芯片集成度也就越高。但傳統(tǒng)光刻技術(shù)由于受到光學(xué)衍射效應(yīng)的影響,分辨力進一步提高受到很大限制。
為獲得更高分辨力,傳統(tǒng)上采用縮短光波、增加成像系統(tǒng)數(shù)值孔徑等技術(shù)路徑來改進光刻機,但技術(shù)難度極高,裝備成本也極高。
項目副總設(shè)計師胡松介紹,中科院光電所此次通過驗收的表面等離子體超分辨光刻裝備,打破了傳統(tǒng)路線格局,形成一條全新的納米光學(xué)光刻技術(shù)路線,具有完全自主知識產(chǎn)權(quán),為超材料/超表面、第三代光學(xué)器件、廣義芯片等變革性領(lǐng)域的跨越式發(fā)展提供了制造工具。
據(jù)了解,這種超分辨光刻裝備制造的相關(guān)器件已在中國航天科技集團公司第八研究院、電子科技大學(xué)、四川大學(xué)華西醫(yī)院、中科院微系統(tǒng)所等多家科研院所和高校的重大研究任務(wù)中得到應(yīng)用。
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