產(chǎn)品詳情
構(gòu)造分類
半導(dǎo)體二極管主要是依靠PN結(jié)而工作的。與PN結(jié)不可分割的點(diǎn)接觸型和肖特基型,也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。包括這兩種型號(hào)在內(nèi),根據(jù)PN結(jié)構(gòu)造面的特點(diǎn),把晶體二極管分類如下:
鍵型
鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔金或銀的細(xì)絲而形成的。其特性介于點(diǎn)接觸型二極管和合金型二極管之間。與點(diǎn)接觸型相比較,雖然鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有增加,但正向特性特別優(yōu)良。多作開關(guān)用,有時(shí)也被應(yīng)用于檢波和電源整流(不大于50mA)。在鍵型二極管中,熔接金絲的二極管有時(shí)被稱金鍵型,熔接銀絲的二極管有時(shí)被稱為銀鍵型。
臺(tái)面型
PN結(jié)的制作方法雖然與擴(kuò)散型相同,但是,只保留PN結(jié)及其必要的部分,把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺(tái)面形,因而得名。初期生產(chǎn)的臺(tái)面型,是對(duì)半導(dǎo)體材料使用擴(kuò)散法而制成的。因此,又把這種臺(tái)面型稱為擴(kuò)散臺(tái)面型。對(duì)于這一類型來說,似乎大電流整流用的產(chǎn)品型號(hào)很少,而小電流開關(guān)用的產(chǎn)品型號(hào)卻很多。
平面型
在半導(dǎo)體單晶片(主要地是N型硅單晶片)上,擴(kuò)散P型雜質(zhì),利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅單晶片上僅選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此,不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整,故而得名。并且,PN結(jié)合的表面,因被氧化膜覆蓋,所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。最初,對(duì)于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的,故又把平面型稱為外延平面型。對(duì)平面型二極管而言,似乎使用于大電流整流用的型號(hào)很少,而作小電流開關(guān)用的型號(hào)則很多。
20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,可分成單管、對(duì)管(亦稱雙管)兩種。對(duì)管內(nèi)部包含兩只快恢復(fù)二極管,根據(jù)兩只二極管接法的不同,又有共陰對(duì)管、共陽對(duì)管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復(fù)二極管(單管)的外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型(共陰對(duì)管)、MUR1680A型(共陽對(duì)管)超快恢復(fù)二極管的外形與構(gòu)造。它們均采用TO-220塑料封裝,
幾十安的快恢復(fù)二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。
快恢復(fù)二極管DSEI2x61-02A原裝現(xiàn)貨技術(shù)參數(shù)價(jià)格資料
價(jià)格:1
產(chǎn)品種類: 快恢復(fù)二極管
制造商: IXYS
RoHS: 符合RoHS 詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-227B-4
Vr - 反向電壓 : 200 V
If - 正向電流: 71 A
類型: Fast Recovery Rectifiers
配置: Dual Parallel
Vf - 正向電壓: 1.08 V
最大浪涌電流: 950 A
Ir - 反向電流 : 50 uA
恢復(fù)時(shí)間: 50 ns
系列: DSEI2X61-02
封裝: Tube
商標(biāo): IXYS
高度: 12.22 mm
長度: 25.42 mm
最大工作溫度: + 150 C
最小工作溫度: - 40 C
工作溫度范圍: - 40 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
產(chǎn)品: Rectifiers
工廠包裝數(shù)量: 10
寬度: 38.20 mm
單位重量: 38 g
快恢復(fù)二極管的特點(diǎn)
超快恢復(fù)時(shí)間
大電流能力
高抗浪涌電流能力
低正向壓降
低反向漏電流
芯片與底板電氣絕緣
2500V交流電壓
國際標(biāo)準(zhǔn)封裝
在逆變裝置中,輸入整流器常用來向直流環(huán)電容器充電,并很好地調(diào)節(jié)DC電壓,若逆變裝置不要求把能量反饋到交流電網(wǎng),則交流整流可以采用不可控的單相或三相整流橋。為了限制最初對(duì)直流環(huán)電容器充電時(shí)所產(chǎn)生的沖擊電流,以免損壞整流橋,一般采用下列的一種方法來實(shí)現(xiàn):
(1)采用一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)電阻器與輸入整流器串接的方法。但這種方法僅對(duì)小功率逆變裝置有用。
(2)采用在輸入整流器的正直流輸出端上串接一個(gè)充電電阻的方法。為了降低電阻上的功耗和提高裝置的效率,當(dāng)電容器充電到最大電壓值時(shí),通常采用有限壽命的機(jī)械接觸器來短接充電電阻。
(3)采用半控整流橋的方法。采用慢慢增加晶閘管觸發(fā)角的方法,以實(shí)現(xiàn)軟起動(dòng)的目的,因而限制了電容器充電時(shí)的沖擊電流,當(dāng)電容器充滿電后,進(jìn)入正常時(shí),電橋內(nèi)的晶閘管就像整流二極管一樣工作。
工作原理
二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的pn結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于pn結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí),外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng),形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí),pn結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程,產(chǎn)生大量電子空穴對(duì),產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。pn結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。
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