閃存芯片供應商意法半導體近日采用90nm制造工藝的128Mbit NAND閃存NAND128W3A2BN6E。
NAND128W3A2BN6E 是一個采用TSOP封裝的3V產品,以消費電子產品為目標應用。另兩款產品256Mbit和512Mbit的NAND閃存（均有3V 和1.8V兩個版本）也將在今后幾個月內過渡到90納米制造工藝。
NAND128具有超高速的數據吞吐量和擦寫能力,該系列產品的地址線路和數據輸入/輸出信號都通過一個8位總線多路傳輸,從而降低了芯片的引腳數量,并允許使用一個模塊化的NAND接口,使設備制造商無需改變芯片占板空間就可制造使用更高（或更低）密度的改進系統。
新的閃存芯片由1024個標稱16字節的區塊組成,每個區塊又分成512字節的頁面,每頁還有16個備用字節,同時每個頁面均可執行讀取與編程操作。備用字節用于糾錯、軟件卷標或壞塊識別。備份編程（Copy Back Program）模式能給儲存在某一個頁面的數據編程,然后將編程數據直接轉存到另一個頁面上,而無需額外的緩存。當頁面編程操作因一個損壞區塊而失敗時,這個功能特別有用。新器件還提供區塊擦除指令,擦除一個區塊的時間僅需2ms。每個區塊的耐擦寫能力為100000次,數據保存期限為10年。
新器件還包含“無需介意芯片激活”功能,可簡化微控制器的接口設計,同時能簡化NAND閃存與NOR閃存、SRAM等內存的整合過程。另外,制造商在器件出廠前可以設定一個唯一的器件ID序列號,用戶利用一個用戶可編程序列號可以提高目標應用的安全功能。
NAND128W3A2BN6E 已開始量產,價格區間在4美元到4.5美元之間,封裝為TSOP48無鉛封裝,工作溫度范圍-40～+85℃。
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