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10、穩壓二極管
是代替穩壓電子二極管的產品。被制作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標準電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從3V左右到150V,按每隔10%,能劃分成許多等級。在功率方面,也有從200mW至100W以上的產品。工作在反向擊穿狀態,硅材料制作,動態電阻RZ很小,一般為2CW型;將兩個互補二極管反向串接以減少溫度系數則為2DW型。
11、PIN型二極管（PIN Diode）
這是在P區和N區之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造的晶體二極管。PIN中的I是“本征”意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時,由于少數載流子的存貯效應和“本征”層中的渡越時間效應,其二極管失去整流作用而變成阻抗元件,并且,其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時,“本征”區的阻抗很高;在直流正向偏置時,由于載流子注入“本征”區,而使“本征”區呈現出低阻抗狀態。因此,可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關（即微波開關）、移相、調制、限幅等電路中。
12、 雪崩二極管 (Avalanche Diode)
它是在外加電壓作用下可以產生高頻振蕩的晶體管。產生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子,因載流子渡越晶片需要一定的時間,所以其電流滯后于電壓,出現延遲時間,若適當地控制渡越時間,那么,在電流和電壓關系上就會出現負阻效應,從而產生高頻振蕩。它常被應用于微波領域的振蕩電路中。
13、江崎二極管 （Tunnel Diode）
它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內;②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）;簡并半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比（IP／PV）,其中,下標“P”代表“峰”;而下標“V”代表“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段）,也可以被應用于高速開關電路中。
14、快速關斷（階躍恢復）二極管 (Step Recovary Diode)
它也是一種具有PN結的二極管。其結構上的特點是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質分布區,從而形成“自助電場”。由于PN結在正向偏壓下,以少數載流子導電,并在PN結附近具有電荷存貯效應,使其反向電流需要經歷一個“存貯時間”后才能降至最小值（反向飽和電流值）。階躍恢復二極管的“自助電場”縮短了存貯時間,使反向電流快速截止,并產生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發生電路。快速關斷（階躍恢復）二極管用于脈沖和高次諧波電路中。
15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）
它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的,所以,其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數限制,因而,它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且,MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。
16、阻尼二極管
具有較高的反向工作電壓和峰值電流,正向壓降小,高頻高壓整流二極管,用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。
17、瞬變電壓抑制二極管
TVP管,對電路進行快速過壓保護,分雙極型和單極型兩種,按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～200V）分類。
18、雙基極二極管（單結晶體管）
兩個基極,一個發射極的三端負阻器件,用于張馳振蕩電路,定時電壓讀出電路中,它具有頻率易調、溫度穩定性好等優點。
19、發光二極管
用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成,體積小,正向驅動發光。工作電壓低,工作電流小,發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠單色光。
三、根據特性分類
點接觸型二極管,按正向和反向特性分類如下。
1、一般用點接觸型二極管
這種二極管正如標題所說的那樣,通常被使用于檢波和整流電路中,是正向和反向特性既不特別好,也不特別壞的中間產品。如：SD34、SD46、1N34A等等屬于這一類。
2、高反向耐壓點接觸型二極管
是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極管中,有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極管,其耐壓受到限制。要求更高時有硅合金和擴散型。
3、高反向電阻點接觸型二極管
正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高,但反向電流小,因此其特長是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中,就鍺材料高反向電阻型二極管而言,SD54、1N54A等等屬于這類二極管。
4、高傳導點接觸型二極管
它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差,但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點接觸型二極管而言,有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型二極管而言,能夠得到更優良的特性。這類二極管,在負荷電阻特別低的情況下,整流效率較高。 在開關電源中,所需的整流二極管必須具有正向壓降低,快速恢復的特點,還應具有足夠的輸出功率,可以使用1.高效快速恢復二極管;2高效超快速二極管;3肖特基勢壘整流二極管.快速恢復和超快速恢復二極管具有適中的和較高的正向壓降,其範圍是從0.8---1.2v.這兩種整流二極管還具有較高的截止電壓參數.因此,它們特別適合於在輸入小功率,電壓在12v左右的輔助電源電路中使用.
由於現代的開關電源工作頻率都在20khz以上,比起一般的整流二極管,快速恢復二極管和超快速恢復二極管的反向恢復時間減小到了毫微秒極.因此,大大提高了電源的效率.據經驗,在選擇快速恢復二極管時,其反向恢復時間至少應該比開關晶體管的上升時間低三倍.這兩種整流二極管還減少了開關電壓尖峰.而這種尖峰直接影響輸出直流電壓的紋波.雖然某些稱為軟恢復型整流二極管的噪聲較小,但是它們的反向恢復時間trr較長,反向電流Irm也較大.因此使得開關損耗較大.快速恢復整流二極管和超快恢復整流二極管在開關電源中作為整流器使用時,是否需要散熱器,要根據電路的最大功率決定.一般情況下,這些二極管再製造時允許的結溫在175度.生產廠家對其產品都有技術說明,提供給設計者去計算最大的輸出工作電流,電壓,及外殼溫度等.
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