|
半導體基本知識： 半導體二極管、三極管、場效應管是電路中最常用的半導體器件，PN結是構成各種半導體器件的重要基礎。
導電能力介于導體和絕緣體之間的物質稱為半導體。具有熱敏、光敏、摻雜特性；根據摻入的雜質不同，可分為：N型半導體、P型半導體。 PN結是采用特定的制造工藝，使一塊半導體的兩邊分別形成P型半導體和N型半導體，它們交界面就形成PN結。PN結具有單向導電性，即在P端加正電壓，N端接負時PN結電阻很低，PN結處于導通狀態，加反向電壓時，PN結呈高阻狀態，為截止,漏電流很小。
一、二極管
將PN結加上相應的電極引線和管殼就成為半導體二極管。
P結引出的電極稱為陽極（正極），N結引出的電極稱為陰極（負極），原理圖中一般常用D1、D2、D？等表示。 二極管正向導通特性（死區電壓）：硅管的死區電壓大于0。5V，諸管大于0。1V。用數字式萬用表的二極管檔可直接測量出正極和負極。利用二極管的單向導電性可以組成整流電路。將交流電壓變為單向脈動電壓。
使用注意事項：
1、在整流電路中流過二極管的平均電流不能超過其最大整流電流；
2、在震蕩電路或有電感的回路中注意其最高反向擊穿電壓的使用問題；
3、整流二極管不應直接串聯（大電流時）或并聯使用，串聯使用時，每個二極管應并聯一個均壓電阻，其大小按100V（峰值）70K左右計算，并聯使用時，每個二極管應串聯10歐的電阻均流，以免個別元件過載。
4、二極管在容性負載線路中使用時，額定整流電流值應降低20%使用。 分類：穩壓二極管、光敏二極管、發光二極管、變容二極管、肖特基二極管、快恢復二極管等。
1、光敏二極管，又稱光電二極管，其PN結也是工作在反偏狀態（和穩壓二極管一樣），是一種光接受器件；其反向電流隨光照強度的增加而上升，反向電流與照度成正比。其可用于光的測量，當制成大面積的光電二極管時，能將光能直接轉換成電能，就是光電池。
2、光敏電阻 也是利用半導體光電材料制成的，在光的照射下其電阻值隨光的強度變化，光照越強阻值越小，其符號如圖：
二、三極管 三極管顧名思義，就是器件有三個電極，本站只做簡單的介紹；三極管的物理結構是由PN結構成的，這樣因PN 結有正負和方向性，所以其不同的組合就構成NPN、PNP兩種類型符號如圖：
NPN型正確使用為Vc>Vb>Ve;PNP型正確使用為：Ve>Vb>Vc 三極管結構上的特點是：含有兩個背靠背的PN結，發射區摻雜濃度高，基區很薄且摻雜濃度低，集電結面積大等。以上特點就使三極管具有電流放大的作用。其放大倍數用β表示，使用時可以根據需要選用。原理圖中常用Q1、Q2、Q？等表示。 三極管的主要參數：
1。電流放大系數/β、β
（1）共射直流放大倍數/β：當三極管接成共發射電路時，在靜態（無輸入信號）時集電極電流Ic（輸出電流）與基極電流Ib（輸入電流）的比值稱為共發射靜態電流（直流）放大系數
/β=Ic/Ib
(2）共射交流電流放大倍數β：當三極管工作在動態（有輸入信號）時，基極電流的變化量為△Ib,它引起集電極電流的變化量△Ic. β=△Ic/△Ib
2。極間反向電流
（1）Icbo為發射極開路時，集電極和基極間的反向飽和電流，小功率硅管的Icbo小于1uA,諸管的Icbo約為10uA左右。
（2）Iceo為基極開路時，由集電極穿過基極流入發射區的穿透電流，它是Icbo的（1+/β）倍。
Iceo=（1 +/β）*Icbo
由于Icbo受溫度影響很大，故溫度變化對Iceo和Ic的影響更大，選用管子時，一般希望極間反向飽和電流盡量小些。
三極管在使用時其輸出特性分為四個工作區：
1。放大區，在放大區，Ic=/βIb，Ic和Ib成正比的關系。三極管處于放大狀態的條件是發射結正偏，集電結反偏。
2。截止區，硅管Ube小于0.5V時，即截止，
3。飽和區，指Ic不能隨Ib的增大而成比例增大，即Ic處于“飽和”狀態。此時發射結和集電結都處于正向偏置。
4。擊穿區，當Uce大于某一值后，Ic開始劇增，這個現象稱為一次擊穿，三極管一次擊穿后，集電極電流突增，只要電路中有合適的限流電阻，擊穿電流不過大，時間短時，三極管是不至于燒毀的。在集電極電壓降低后，三極管仍能恢復正常工作，所以一次擊穿過程是可逆的。
三、電阻
電阻是：起限流、降壓作用。
電阻的分類與命名方法：
| 
66821730(技術支持)
