西門子S7-200PLC的V區屬于RAM區還是EEPROM區
如果屬于RAM區,那么是否可把V區的數據拷貝到EEPROM中?
答:西門子S7-200PLC系統中用到了三種存儲器件:
RAM: 易失性的存儲器,失去電源供應后,其中保存的數據會丟失。S7-200 CPU中的RAM由超級電容+外插電池卡提供電源緩沖。RAM保存V、M、T(定時器)、C(計數器)等各數據區的內容,在CPU失電后的表現由用戶在系統塊“數據保持”頁中設置
EEPROM:非易失的電可擦除存儲器,保存數據不需要供電,并且可以改寫其內容。上述RAM數據區中有的部分與EEPROM中的區域一一對應。用戶程序也永久保存在程序EEPROM區中
外插存儲卡:非易失的存儲器。用來保存用戶程序、數據記錄(歸檔)、配方數據,以及一些其他文件等
RAM區的數據保持靠“內置超級電容+外插電池卡”的機制。
在CPU內部靠一個超級電容,在掉電后為RAM存儲器提供電源緩沖,保存時間可達幾天之久,具體時間見表1、表2。CPU上電時,超級電容就可以充電。要獲得規格表中的數據保持時間,電容必須連續充電24小時。
S7-200還可選用外插電池卡(需單獨定貨),在超級電容耗盡后為RAM數據區提供電源緩沖。在連續無供電時,它可使用200天(即保持數據達200天)。CPU在不斷電的情況下專用電池卡能夠使用10年。電池卡是不可充電的。
CPU內置的EEPROM存儲器用于永久保存數據,包括與RAM數據區一一對應的全部的V存儲區、部分M存儲區(MB0 - MB13)、定時器(TONR)。
例如V存儲區的VW100(RAM)在EEPROM中有其獨占的對應地址,數據在從EERPOM中寫到V存儲區中時,其目標地址就是VW100。
數據可以用如下方式寫入EEPROM數據區:
在編程軟件Micro/WIN的Data Block(數據塊)中定義V數據區存儲單元的初始值,下載數據塊時,這些數值也被寫入到相應的EEPROM單元中。
用特殊存儲器SMB31、SMW32,用編程方法將V存儲區的數據寫入EEPROM
在System Block(系統塊)中設置數據保持功能,可將MB0 - MB13的內容在CPU斷電時自動寫入到EEPROM中。
答:西門子S7-200PLC系統中用到了三種存儲器件:
RAM: 易失性的存儲器,失去電源供應后,其中保存的數據會丟失。S7-200 CPU中的RAM由超級電容+外插電池卡提供電源緩沖。RAM保存V、M、T(定時器)、C(計數器)等各數據區的內容,在CPU失電后的表現由用戶在系統塊“數據保持”頁中設置
EEPROM:非易失的電可擦除存儲器,保存數據不需要供電,并且可以改寫其內容。上述RAM數據區中有的部分與EEPROM中的區域一一對應。用戶程序也永久保存在程序EEPROM區中
外插存儲卡:非易失的存儲器。用來保存用戶程序、數據記錄(歸檔)、配方數據,以及一些其他文件等
RAM區的數據保持靠“內置超級電容+外插電池卡”的機制。
在CPU內部靠一個超級電容,在掉電后為RAM存儲器提供電源緩沖,保存時間可達幾天之久,具體時間見表1、表2。CPU上電時,超級電容就可以充電。要獲得規格表中的數據保持時間,電容必須連續充電24小時。
S7-200還可選用外插電池卡(需單獨定貨),在超級電容耗盡后為RAM數據區提供電源緩沖。在連續無供電時,它可使用200天(即保持數據達200天)。CPU在不斷電的情況下專用電池卡能夠使用10年。電池卡是不可充電的。
CPU內置的EEPROM存儲器用于永久保存數據,包括與RAM數據區一一對應的全部的V存儲區、部分M存儲區(MB0 - MB13)、定時器(TONR)。
例如V存儲區的VW100(RAM)在EEPROM中有其獨占的對應地址,數據在從EERPOM中寫到V存儲區中時,其目標地址就是VW100。
數據可以用如下方式寫入EEPROM數據區:
在編程軟件Micro/WIN的Data Block(數據塊)中定義V數據區存儲單元的初始值,下載數據塊時,這些數值也被寫入到相應的EEPROM單元中。
用特殊存儲器SMB31、SMW32,用編程方法將V存儲區的數據寫入EEPROM
在System Block(系統塊)中設置數據保持功能,可將MB0 - MB13的內容在CPU斷電時自動寫入到EEPROM中。
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