一、產品定位與品牌背景

德國 ADL（Analoge & Digitale Leistungselektronik GmbH）自 1992 年專注于離子源專用高壓電源研發，總部位于達姆施塔特，產品以高精度、高穩定性、快速電弧保護為核心優勢，廣泛適配考夫曼、ECR 等主流離子源，是半導體、MEMS、先進傳感器等微電子真空工藝的標準配套電源。GG03（300W） 作為 ADL 加速器電源系列的主力型號，專為微電子領域中小功率、納米級精度的離子束工藝設計，額定輸出 0-1000V/300mA/300W，精準匹配離子注入、離子束刻蝕（IBE）、離子束輔助沉積（IBAD）等核心制程。

二、核心技術參數（300W 額定）

電氣性能

輸出類型：負直流高壓（加速極專用）

額定功率：300 W

輸出電壓：0~-1000 V DC（連續可調，0~100% 額定）

輸出電流：0~300 mA DC（連續可調，0~100% 額定）

控制模式：恒壓 / 恒流 / 恒功率三模式自由切換

輸出精度：±1% 額定值（電壓 / 電流 / 功率），保障工藝重復性

輸入：230 V AC ±10%，50/60 Hz，單相，PE 接地，適配工業標準電網

控制與保護

本地 / 遠程：前面板手動旋鈕 + 按鍵；遠程支持AS4 模擬、Profibus DP、EtherCAT、RS232/485，無縫接入半導體自動化產線

電弧抑制：全自動快速熄弧，淬滅時間 6μs~3ms，電弧能量 < 0.3mJ/kW，避免離子源燈絲 / 腔體損壞，保障晶圓安全

保護機制：過壓、過流、短路、過溫、高壓互鎖、安全門聯鎖，符合 SEMI 安全標準

三、微電子領域核心應用價值

1. 離子注入：半導體摻雜的精準能量源

GG03 為離子源提供穩定 - 1000V 加速電壓，精準控制離子能量（0~1000eV），實現晶圓淺結摻雜、閾值電壓調節、隔離區形成等關鍵工藝。其 **±1% 精度 ** 與快速電弧保護，確保注入均勻性、劑量一致性，滿足先進制程（28nm 及以下）對摻雜精度的嚴苛要求，提升芯片良率與電學性能穩定性。

2. 離子束刻蝕（IBE）：納米級圖形加工利器

驅動離子源產生高能、準直離子束，對晶圓、MEMS 結構進行物理刻蝕，實現納米級線寬、高深寬比的微結構加工（如傳感器懸臂梁、光學光柵、芯片互聯溝槽）。GG03 的恒流 / 恒功率模式可穩定控制離子束流密度，保證刻蝕速率均勻、選擇比優異，避免傳統干法刻蝕的等離子體損傷，適配 MEMS、紅外傳感器、光電器件等精密制造。

3. 離子束輔助沉積（IBAD）/ 離子束沉積（IBD）：高品質薄膜制備

在薄膜沉積（柵介質、金屬互連、鈍化層、光學膜）過程中，GG03 輸出的高壓離子束對沉積原子進行轟擊、致密化，降低薄膜應力、提升致密度與附著力，解決傳統蒸鍍 / 濺射薄膜疏松、易脫落的痛點。其寬范圍可調參數，適配 SiO?、Si?N?、金屬、氧化物等多種薄膜工藝，保障器件可靠性與壽命。

4. MEMS 與先進傳感器：微型器件加工的穩定保障

針對 MEMS 壓力傳感器、加速度計、微鏡等微型器件，GG03 以緊湊機架、低紋波輸出，適配小型真空腔體與集成化設備，實現微結構刻蝕、表面改性、薄膜修飾，提升傳感器靈敏度、一致性與長期穩定性，滿足消費電子、汽車電子、工業傳感的批量生產需求。

四、選型與集成要點

匹配區分：GG03（300W/300mA）與 GG03.1（30W/30mA）功率 / 電流差異顯著，需按離子源規格（考夫曼 / ECR、束流需求）精準選型

工藝適配：離子注入優先恒壓模式；刻蝕 / 沉積優先恒流 / 恒功率模式，確保束流穩定

安全規范：必須可靠接地、配置高壓互鎖與安全門聯鎖，嚴格遵循真空設備高壓操作標準

維護：定期清潔散熱風道、檢查高壓線纜絕緣，備份工藝參數，保障長期穩定運行