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.光刻技術及設備的發展
從圖2.25所示的光學曝光隨集成電路最小尺寸的演變圖我們可以看出,日本HD光學設備諧波SHD-40-100-2SH從上世紀80年代到本世紀初,光學曝光是主要的光刻方法,日本HD光學設備諧波SHD-40-100-2SH光學曝光使用深紫外光。從20世紀80年代初的3mm集成電路到2004年90nm的集成電路的發展,光學曝光光源使用汞燈,波長從G線(436nm)、I線(365nm),再到使用準分子激光光源,波長為248nm和193nm。過去的十年中產業界利用大數值孔徑和浸沒式曝光技術,以及離軸照明技術(Off Axis illumination,OAI)、空間濾波技術、日本HD光學設備諧波SHD-40-100-2SH相位移掩模(Phase Shift Mask, PSM)、光學臨近效應校正技術等光學曝光分辨率增強技術,使用193nm的深紫外光將集成電路最小尺寸做到了22nm。



