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CVD工藝采用的設備為CVD反應爐,根據反應壓力可分為常壓或低壓CVD爐。日本HDCV精密諧波CSF-17-80-2UH-LWCVD反應爐常用的有臥室反應爐和立式反應爐。圖2.8所示為CVD臥式反應爐工作原日本HDCV精密諧波CSF-17-80-2UH-LW理示意圖。為避免高溫,可以采用其他的能量供應形式,例如,通過高能射頻源獲得的等離子體就是一種可選形式,稱為等離子增強CVD (PECVD, Plasma Enhanced CVD)。
(2)外延工藝與設備
外延(Epitaxy)是在單晶襯底上、合適的條件下沿襯底原來的結晶軸向,日本HDCV精密諧波CSF-17-80-2UH-LW生長一層晶格結構完整的新的單晶層的制膜技術。新生單晶層按襯底晶相延伸生長,并稱為外延層。長了外延層的襯底稱為外延片。



